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SIZF918DT-T1-GE3為雙N溝道30V MOSFET晶體管（帶肖特基二極管）。

SIZF918DT-T1-GE3規(guī)格參數(shù)

技術(shù)類型    MOSFET（金屬氧化物）

結(jié)構(gòu)形式    雙N溝道（雙通道），肖特基

漏源電壓(Vdss)    30V

持續(xù)漏極電流(Id) @ 25°C    23A (Ta), 40A (Tc), 35A (Ta), 60A (Tc)

導(dǎo)通電阻(Rds On) @ Id, Vgs    4mΩ @ 10A, 10V, 1.9mΩ @ 10A, 10V

閾值電壓(Vgs(th))（最大值）@ Id    2.4V @ 250μA, 2.3V @ 250μA

柵極電荷(Qg)（最大值）@ Vgs    22nC @ 10V, 56nC @ 10V

輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds    1060pF @ 15V, 2650pF @ 15V

功率 - 最大    3.4W (Ta), 26.6W (Tc), 3.7W (Ta), 50W (Tc)

工作溫度    -55°C ~ 150°C (TJ)

SIZF918DT-T1-GE3特性

第四代溝槽場效應(yīng)晶體管?功率MOSFET

集成肖特基二極管的SkyFET?低側(cè)MOSFET

100% Rg與UIS測試通過

SIZF918DT-T1-GE3應(yīng)用

CPU核心供電

計(jì)算機(jī)/服務(wù)器外圍設(shè)備

電源直降轉(zhuǎn)換器

同步降壓轉(zhuǎn)換器

電信DC/DC轉(zhuǎn)換器

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