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服務(wù)電話(huà):86-755-83294757
商品名稱(chēng):N-通道功率MOSFET
品牌:INFINEON
年份:25+
封裝:PG-TO252-3
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:5000 件
IPD95R450P7——950V,CoolMOS? P7系列 MOSFET 晶體管,該系列擁有同類(lèi)最佳的 3V VGS (th)、僅 ±0.5 V 的容差和受保護(hù)的柵極。適用于從照明、智能電表、手機(jī)充電器、筆記本電腦適配器到 AUX 電源和工業(yè) SMPS 等各種應(yīng)用。
產(chǎn)品詳情:
型號(hào):IPD95R450P7
封裝:PG-TO252-3
類(lèi)型:N-通道功率 MOSFET 晶體管
產(chǎn)品屬性:
ID max:14 A
ID (@25°C) 最大值:14 A
IDpuls 最大值:43 A
Ptot 最大值:104 W
QG:35 nC
QG (typ @10V):35 nC
RDS (on) 最大值:450 mΩ
RDS (on) (@10V) 最大值:450 mΩ
VDS 最大值:950 V
VGS(th):3 V
封裝:DPAK
工作溫度:- 50 °C 至 150 °C
IPD95R450P7 產(chǎn)品特性:
CoolMOS ? 7 系列
低柵極電荷
COSS中的低存儲(chǔ)能量
集成柵極電阻
硬開(kāi)關(guān)效率高
MOSFET 適合硬諧振拓?fù)?/span>
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國(guó)慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門(mén)子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門(mén),于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱(chēng)為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國(guó)Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線(xiàn)、總線(xiàn)仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿(mǎn)足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…1EDI3038AS
1EDI3038AS是一款用于汽車(chē)應(yīng)用的高壓 SiC MOSFET 驅(qū)動(dòng)器,由Infineon生產(chǎn),屬于EiceDRIVER? 高壓柵極驅(qū)動(dòng)器系列。該系列可提供電流隔離和雙向信號(hào)傳輸,并具有高環(huán)境溫度能力。關(guān)鍵特性對(duì)于伏的 SiC MOSFET。班級(jí)最多 1200 人CMTI 高達(dá) 150 V/ns8 kV 峰值增強(qiáng)。絕緣 (DI…1EDI3028AS
1EDI3028AS是 Infineon公司推出的一款符合汽車(chē)標(biāo)準(zhǔn)的EiceDRIVER? 高壓柵極驅(qū)動(dòng)器IC,采用無(wú)芯變壓器 (CT) 技術(shù)提供 8 kV 電流絕緣。1EDI3028AS為高功率開(kāi)關(guān)提供了強(qiáng)大的輸出級(jí),峰值電流高達(dá) 15 A。1EDI3028AS具有分離輸出級(jí),可在開(kāi)啟和關(guān)閉期間實(shí)現(xiàn)不同的轉(zhuǎn)換率,通過(guò)…1EDI3026AS
1EDI3026AS屬于英飛凌的EiceDRIVER?高壓柵極驅(qū)動(dòng)器 IC,是一款用于汽車(chē)應(yīng)用的高壓 IGBT 驅(qū)動(dòng)器,采用無(wú)芯變壓器 (CT) 技術(shù)提供 8 kV 電流絕緣。1EDI3026AS為高功率開(kāi)關(guān)提供強(qiáng)大的輸出級(jí),峰值電流高達(dá) 20 A。它具有分離輸出級(jí),可在開(kāi)啟和關(guān)閉期間實(shí)現(xiàn)不同的轉(zhuǎn)換率,通過(guò)…1EDI3031AS
1EDI3031AS是英飛凌(Infineon)推出的一款符合汽車(chē)標(biāo)準(zhǔn)的單通道高壓柵極驅(qū)動(dòng)器,專(zhuān)為SiC MOSFET設(shè)計(jì),適用于1200V電力電子系統(tǒng)。該器件采用加厚型無(wú)磁芯變壓器技術(shù),實(shí)現(xiàn)軌到軌輸出電流(20A),傳播延遲為60ns(典型值)。產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)易于使用的預(yù)配置,無(wú)需編程引腳兼容 …1EDI3030AS
EiceDRIVER ? 1EDI3030AS是一款符合汽車(chē)標(biāo)準(zhǔn)的單通道高壓柵極驅(qū)動(dòng)器,其采用英飛凌的無(wú)芯變壓器技術(shù),通過(guò)電流隔離實(shí)現(xiàn)雙向信號(hào)傳輸。1EDI3030AS具備以下特征:?jiǎn)瓮ǖ栏綦x式 SiC MOSFET 驅(qū)動(dòng)器適用于高達(dá) 1200 V 的 SiC MOSFET高達(dá) 150 V/ns 的 CMTI8 kV 基本絕緣6.8 kV…電話(huà)咨詢(xún):86-755-83294757
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