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IPD80R360P7 [Infineon] N-通道功率MOSFET——800V，CoolMOS? P7 系列功率晶體管，適用于消費類PFC平臺、太陽能、適配器、音頻、照明應用。

產(chǎn)品詳情：

型號：IPD80R360P7

封裝：PG-TO252-3

類型：N-通道功率 MOSFET 晶體管

IPD80R360P7 產(chǎn)品屬性：

系列：CoolMOS? P7

FET 類型：N 通道

技術：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：800 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：13A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：360 毫歐 @ 5.6A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 280μA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：30 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：930 pF @ 500 V

功率耗散（最大值）：84W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應商器件封裝：PG-TO252-3

封裝/外殼：TO-252-3，DPAK（2 引線 +耳片），SC-63

IPD80R360P7 產(chǎn)品特性：

CoolMOS ? 7 系列

低柵極電荷

COSS中的低存儲能量

集成柵極電阻

硬開關效率高

MOSFET 適合硬諧振拓撲

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