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供應(yīng)英飛凌 N 溝道功率 MOSFET BSC028N06LS3G OptiMOS? 功率晶體管(60V)

供應(yīng)英飛凌 N 溝道功率 MOSFET BSC028N06LS3G OptiMOS? 功率晶體管(60V)

來(lái)源:本站時(shí)間:2025-06-24瀏覽數(shù):

產(chǎn)品概述BSC028N06LS3G是英飛凌OptiMOS?3系列中的一款60V N溝道功率MOSFET,采用PG-TDSON-8封裝,具有2.8mΩ超低導(dǎo)通電阻(RDS(on))和100A連續(xù)漏極電流能力,專為高頻開(kāi)關(guān)電源、同步整流和電機(jī)驅(qū)動(dòng)等高效率應(yīng)用設(shè)計(jì)。該器件通過(guò)優(yōu)化開(kāi)關(guān)性能和導(dǎo)通損耗,顯著提升系統(tǒng)能效…

產(chǎn)品概述

BSC028N06LS3G是英飛凌OptiMOS?3系列中的一款60V N溝道功率MOSFET,采用PG-TDSON-8封裝,具有2.8mΩ超低導(dǎo)通電阻(RDS(on))和100A連續(xù)漏極電流能力,專為高頻開(kāi)關(guān)電源、同步整流和電機(jī)驅(qū)動(dòng)等高效率應(yīng)用設(shè)計(jì)。該器件通過(guò)優(yōu)化開(kāi)關(guān)性能和導(dǎo)通損耗,顯著提升系統(tǒng)能效,廣泛應(yīng)用于服務(wù)器電源、電信設(shè)備及工業(yè)自動(dòng)化領(lǐng)域。


核心特性 BSC028N06LS3G

超低導(dǎo)通電阻:2.8mΩ@VGS=10V,大幅降低傳導(dǎo)損耗。

高品質(zhì)因數(shù)(FOM):RDS(on)×Qg=28mΩ×nC,實(shí)現(xiàn)高效開(kāi)關(guān)。

100%雪崩測(cè)試,確保極端條件下的可靠性。

低柵極電荷(Qg):典型值28nC,降低驅(qū)動(dòng)損耗。

快速開(kāi)關(guān)速度:上升時(shí)間17ns,下降時(shí)間19ns,提升高頻應(yīng)用效率。

低反向恢復(fù)電荷(Qrr),改善EMI性能。

PG-TDSON-8封裝:優(yōu)化熱阻(RthJC=0.75K/W)。

175°C最高結(jié)溫,適應(yīng)嚴(yán)苛工作環(huán)境。

符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),無(wú)鹵素設(shè)計(jì)。

工作溫度范圍:-55°C ~ +150°C,適用于汽車及工業(yè)應(yīng)用。


關(guān)鍵參數(shù) BSC028N06LS3G

漏源電壓(Vdss):60V

連續(xù)漏極電流(Id):100A

導(dǎo)通電阻(RDS(on)):2.8mΩ

柵極電荷(Qg):28nC

輸入電容(Ciss):13000pF

開(kāi)關(guān)時(shí)間(tr/tf):17ns / 19ns

最大功耗(Pd):2.5W (Ta), 139W (Tc)

封裝類型:PG-TDSON-8 (6.1mm×5.35mm)

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應(yīng)用 BSC028N06LS3G

汽車電池管理系統(tǒng)(BMS)

家用機(jī)器人

先進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù),助力構(gòu)建新型數(shù)字化、超互聯(lián)醫(yī)療生態(tài)系統(tǒng)


明佳達(dá)電子的供應(yīng)優(yōu)勢(shì)

大量現(xiàn)貨供應(yīng) :深圳明佳達(dá)電子擁有充足的 BSC028N06LS3G 庫(kù)存,能夠滿足客戶的批量采購(gòu)需求,確保及時(shí)交付。

原裝正品保障 :作為專業(yè)的電子元器件分銷商,明佳達(dá)電子提供的 BSC028N06LS3G 均為原裝正品,確保產(chǎn)品的質(zhì)量和可靠性。

靈活的服務(wù)模式 :明佳達(dá)電子提供靈活的采購(gòu)方式,無(wú)論是小批量試產(chǎn)還是大批量生產(chǎn),都能為客戶提供個(gè)性化的服務(wù),滿足不同客戶的需求。

BSC028N06LS3G.jpg

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