隨著圖形處理器(GPU)的性能日益強大,對板級電源的要求也越來越高。中間總線轉(zhuǎn)換器(IBC)可將48 V輸入電壓轉(zhuǎn)換為較低的總線電壓,這對于AI數(shù)據(jù)中心的能效、功率密度和散熱性能愈發(fā)重要。英飛凌科技股份公司宣布,其采用緊湊型5x6 mm 雙面散熱(DSC)封裝的OptiMOS? 6…
隨著圖形處理器(GPU)的性能日益強大,對板級電源的要求也越來越高。中間總線轉(zhuǎn)換器(IBC)可將48 V輸入電壓轉(zhuǎn)換為較低的總線電壓,這對于AI數(shù)據(jù)中心的能效、功率密度和散熱性能愈發(fā)重要。英飛凌科技股份公司宣布,其采用緊湊型5x6 mm2 雙面散熱(DSC)封裝的OptiMOS? 6 80V 功率 MOSFET已被集成到一家領先處理器制造商AI服務器平臺的 IBC級。
應用測試表明,其效率較之前使用的解決方案提高約 0.4%,相當于每kW負載節(jié)省約4.3 W。如果能擴展到系統(tǒng)層面,如服務器機架或整個數(shù)據(jù)中心,則將帶來顯著的節(jié)能效果。例如在一個擁有2,000個機架的超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心推廣該方案,每小時可節(jié)能1.2 MWh以上,這相當于為25輛小型電動汽車充電所需的能量。該方案能夠為數(shù)據(jù)中心運營商節(jié)約成本和減少碳足跡,具有顯著的效益。
由于AI計算需求不斷增長,市場對高效功率管理解決方案的需求也將隨之上升。英飛凌的 OptiMOS? 6 80V 可滿足日益增長的能效需求,提供適用于AI服務器 IBC的高性能解決方案。該MOSFET 采用 5x6 mm2 DSC 封裝,在硬開關拓撲中擁有更好的開關性能,且通過降低導通損耗提高了能效。此外,這種緊湊型封裝可實現(xiàn)雙面散熱,有助于改善熱管理和提高功率密度,這對于空間有限的AI服務器環(huán)境至關重要。
英飛凌擁有廣泛的硅基功率MOSFET產(chǎn)品組合,其中的OptiMOS? 6 80V專為滿足AI服務器應用對性能、效率和集成度日益增長的需求而設計。該產(chǎn)品組合采用最新的MOSFET 技術,并根據(jù)不同用途推出了多種型號,所有產(chǎn)品均針對不同的散熱設計和系統(tǒng)要求進行了優(yōu)化。英飛凌硅基功率MOSFET達到最高質(zhì)量和保護標準,因此產(chǎn)品的可靠性、系統(tǒng)正常運行時間和電源穩(wěn)定性均有保障。
作為功率系統(tǒng)領域的領導者,英飛凌掌握全部三種半導體相關材料,推出了廣泛的硅(Si)、碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)產(chǎn)品組合。
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