【2025年2月27日, 德國慕尼黑訊】氮化鎵(GaN)技術(shù)在提升功率電子器件性能水平方面起到至關(guān)重要的作用。但目前為止,GaN供應(yīng)商采用的封裝類型和尺寸各異,產(chǎn)品十分零散,客戶缺乏兼容多種封裝的貨源。為了解決這個問題,全球功率系統(tǒng)、汽車和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英…
【2025年2月27日, 德國慕尼黑訊】氮化鎵(GaN)技術(shù)在提升功率電子器件性能水平方面起到至關(guān)重要的作用。但目前為止,GaN供應(yīng)商采用的封裝類型和尺寸各異,產(chǎn)品十分零散,客戶缺乏兼容多種封裝的貨源。為了解決這個問題,全球功率系統(tǒng)、汽車和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)推出采用RQFN 5x6 封裝的 CoolGaN? G3 100V(IGD015S10S1)和采用RQFN 3.3x3.3封裝的CoolGaN? G3 80V(IGE033S08S1)高性能GaN晶體管。
CoolGaN? G3 100V晶體管與WRTFN-9-2組合
英飛凌科技中壓氮化鎵產(chǎn)品線負責(zé)人Antoine Jalabert博士表示:“這兩款新器件兼容行業(yè)標準硅MOSFET封裝,滿足客戶對標準化封裝、更易處理和加快產(chǎn)品上市速度的需求。
CoolGaN? G3 100 V晶體管器件將采用5x6 RQFN封裝,典型導(dǎo)通電阻為 1.1 mΩ;CoolGaN? G3 80 V將采用 3.3x3.3 RQFN 封裝,典型電阻為2.3 mΩ。這兩款晶體管的封裝首次讓客戶可以采取簡便的多源采購策略,以及與硅基設(shè)計形成互補的布局,而新封裝與GaN組合帶來的低電阻連接和低寄生效應(yīng)能夠在常見封裝中實現(xiàn)高性能晶體管輸出。
此外,這種芯片與封裝組合擁有更大的暴露表面積和更高的銅密度,使熱量得到更好的分布和散發(fā),因此不僅能提高熱傳導(dǎo)性,還具有很高的熱循環(huán)穩(wěn)定性。
供貨情況
采用 RQFN 封裝的IGE033S08S1 和 IGD015S10S1 GaN晶體管樣品將從2025年4月開始提供。
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