商品名稱:NXH350N100H4Q2F2S1G
數(shù)據手冊:NXH350N100H4Q2F2S1G.PDF
品牌:ON
年份:23+
封裝:Module
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
NXH350N100H4Q2F2S1G是一款功率集成模塊(PIM),包含一個I型NPC級,100A/1200V EliteSiC二極管用于中點鉗位,350A/1000V IGBT用于外部IGBT,400A/1000V IGBT用于內部IGBT,用于IGBT的反向二極管的開關電流為170 A,另外包含一個板載式熱敏電阻。NXH350N100H4Q2F2S1G采用場截止技術的極高效溝道,低開關損耗降低了系統(tǒng)功耗,模塊設計提供高功率密度,低電感布局,封裝高度低,NXH350N100H4Q2F2S1G器件無鉛、無鹵素/無溴化阻燃劑,符合 RoHS 規(guī)范標準。
產品屬性
IGBT 類型:溝槽型場截止
配置:三級反相器
電壓 - 集射極擊穿(最大值):1000 V
電流 - 集電極 (Ic)(最大值):303 A
功率 - 最大值:276 W
不同 Vge、Ic 時 Vce(on)(最大值):2.3V @ 15V,375A
電流 - 集電極截止(最大值):1 mA
不同 Vce 時輸入電容 (Cies):24.146 nF @ 20 V
輸入:標準
NTC 熱敏電阻:是
工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型:底座安裝
封裝/外殼:模塊
供應商器件封裝:42-PIM/Q2PACK(93x47)
應用
? 太陽能逆變器
? 不間斷電源系統(tǒng)
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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UJ3C120040K3S
UJ3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UJ3C120070K3S
UJ3C120070K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UF3C120040K3S
UF3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性可真正 “替代 ”硅 IGBT、硅 FET、硅 C MOSFET 或硅超級結器件。該器件采用 T0247-3 封裝,具有超…UF3C120040K4S
UF3C120040K4S 是高性能 F3 SiC 快速 JFET,采用級聯(lián)優(yōu)化 MOSFET,是目前市場上唯一的標準柵極驅動 SiC 器件。該器件采用 4 端子 T0247- 封裝,具有極快的開關速度和類似額定值器件中最佳的反向恢復特性。這些器件非常適合電感負載開關和任何需要標準柵極驅動的應用。UF3…UJ3C065030B3
UJ3C065030B3 SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超結器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 DPAK-3L…NVH4L050N170M1
NVH4L050N170M1:1700V、45A、53mohm、碳化硅 (SiC) N通道 MOSFET 晶體管,TO-247-4型號:NVH4L050N170M1封裝:TO-247-4類型:碳化硅(SiC)MOSFET 晶體管NVH4L050N170M1 規(guī)格參數(shù):FET 類型:N 通道技術:SiC(碳化硅結晶體管)漏源電壓(Vdss):1700 V25C 時電流 - 連…電話咨詢:86-755-83294757
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