商品名稱:碳化硅 (SiC) MOSFET
品牌:ON
年份:25+
封裝:D2PAK-7
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:2000 件
onsemi 推出的 NVBG050N170M1碳化矽(SiCSiC)MOSFET是1700V M1平面SiC MOSFET系列的一部分,該系列專為快速開關(guān)應(yīng)用而優(yōu)化。此MOSFET具有最大76mΩ(在20V最大RDS(ON) 、1700V漏極至源極電壓、50A漏極連續(xù)電流和超低柵極充電/電荷(典型 QG(tot) = 107nC)時(shí))。
關(guān)鍵特性
典型RDS(on) = 53mΩ(VGS = 20V)
超低柵極電荷(典型QG(tot) = 107nC)
低有效輸出電容(典型Coss = 97pF)
100% 經(jīng)雪崩測試
不含鹵素
符合RoHS指令(7a豁免)
無鉛2LI(二級互連)
NVBG050N170M1 SiC MOSFET的有效輸出電容較低(典型Coss = 97pF),柵極至源極電壓為-15V/+25V。該碳化硅MOSFET 100%經(jīng)過雪崩測試,采用D2PAK-7L封裝。NVBG050N170M1碳化矽(SiC)MOSFET為無鉛2LI,不含鹵化物,符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),豁免7a條。其典型應(yīng)用包括反激式轉(zhuǎn)換器、電動汽車/混合動力汽車用DC-DC轉(zhuǎn)換器以及車載充電器(OBC)。
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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