商品名稱:N 溝道功率 MOSFET
品牌:INFINEON
年份:25+
封裝:PG-HSOF-8
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:2000 件
IPT047N15NM6 OptiMOS? 6 150 V 在標(biāo)準(zhǔn)電壓等級(jí)下,為高度競(jìng)爭(zhēng)的 150 V 市場(chǎng)樹立了新的性能標(biāo)桿。OptiMOS? 6 150 V 技術(shù)專為滿足高頻率和低頻率開關(guān)應(yīng)用的需求而設(shè)計(jì),適用于硬開關(guān)和軟開關(guān)模式。
IPT047N15NM6 的特點(diǎn)
與 OptiMOS? 5 相比,F(xiàn)OMg 降低 20%
150 V 市場(chǎng)中最低的 Qrr
與 OptiMOS? 5 相比,二極管軟度有所提升
Vgs(th) 電壓分布范圍為 ±500 mV
高雪崩耐受性
高電流額定值
最大 Tj 為 175°C,MSL1 等級(jí)
IPT047N15NM6 的優(yōu)勢(shì)
低導(dǎo)通和開關(guān)損耗
改進(jìn)的 EMI 下的穩(wěn)定運(yùn)行
并聯(lián)時(shí)更好的電流共享
卓越的功率處理能力
增強(qiáng)的 robustness
改進(jìn)的系統(tǒng)可靠性
IPT047N15NM6 的應(yīng)用
輕型電動(dòng)車輛解決方案
電動(dòng)工具
光伏
電源轉(zhuǎn)換
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…BSC070N10NS5SC
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BSC033N08NS5SC【Infineon】SuperSO8 DSC(雙面冷卻)封裝中的 80V,OptiMOS ? 5 功率 MOSFET 具有雙面冷卻的熱優(yōu)勢(shì)以及行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的尺寸。以下是關(guān)于BSC033N08NS5SC 的產(chǎn)品詳情:型號(hào):BSC033N08NS5SC封裝:PG-WSON-8 類型:汽車MOSFET晶體管概述:BSC033N08NS5SC 是一款…BSC016N06NSSC
BSC016N06NSSC:60V,OptiMOS ? 5 功率MOSFET晶體管,采用 SuperSO8 DSC 封裝,具有雙面冷卻功能,可增強(qiáng)熱性能?!井a(chǎn)品詳情】BSC016N06NSSC——OptiMOS ? 5 功率 MOSFET 60 V 采用 SuperSO8 DSC(雙面冷卻)封裝,具有雙面冷卻的熱優(yōu)勢(shì)和行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的尺寸。MOSFET 芯片產(chǎn)…ISZ173N15NM6
ISZ173N15NM6:150V,OptiMOS ? 6 功率 MOSFET晶體管,正常電平,采用 SuperSO8 封裝ISZ173N15NM6 規(guī)格參數(shù):系列:OptiMOS? 6FET 類型:N 通道技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):150 V25C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):7.9A(Ta),48A(Tc)驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rd…IPP073N13NM6
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