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Micron LPDDR4內(nèi)存優(yōu)化用于解決電池供電應(yīng)用中的功耗問題。與DDR4相比，這些內(nèi)存器件的峰值帶寬快33%。與標準DRAM相比，LPDDR4內(nèi)存在待機模式下的功耗降低至1/5。這些內(nèi)存器件采用多芯片封裝（MCP）和封裝體疊層（PoP）設(shè)計，可節(jié)省PCB空間。LPDDR4內(nèi)存器件優(yōu)化了x16、x32和x64配置，可為某些應(yīng)用節(jié)省BOM。LPDDR4內(nèi)存在性能、功耗、延遲和物理空間之間實現(xiàn)了完美平衡，因此非常節(jié)能。這些LPDDR4內(nèi)存器件適合用于手持設(shè)備、電池供電應(yīng)用和超便攜設(shè)備。

MT53E1G32D2FW-046 AAT:A 器件規(guī)格

產(chǎn)品種類: 動態(tài)隨機存取存儲器

類型: SDRAM Mobile - LPDDR4

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: VFBGA-200

數(shù)據(jù)總線寬度: 32 bit

組織: 1 G x 32

存儲容量: 32 Gbit

最大時鐘頻率: 2.133 GHz

電源電壓-最大: 1.1 V

最小工作溫度: - 40 C

最大工作溫度: + 105 C

系列: 130S

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  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。

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