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IMYH200R075M1H 采用TO-247PLUS-4-HCC封裝的CoolSiC? 2000 V 75 mΩ SiC MOSFET旨在提供更高的功率密度，即使在苛刻的高電壓和開關(guān)頻率條件下也不影響系統(tǒng)的可靠性。CoolSiC?技術(shù)的低功率損耗提供了更高的可靠性，這要歸功于2000 V優(yōu)化封裝中的.XT互連技術(shù)，在組串逆變器、太陽能優(yōu)化器、電動汽車充電和儲能系統(tǒng)等應(yīng)用中實現(xiàn)了最高效率。

產(chǎn)品屬性

FET 類型： N 通道  

技術(shù)： SiC（碳化硅結(jié)晶體管）  

漏源電壓（Vdss）： 2000 V  

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) ：34A（Tc）  

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）： 15V，18V  

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值） ：98 毫歐 @ 13A，18V  

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）： 5.5V @ 7.7mA  

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）： 64 nC @ 18 V  

Vgs（最大值）： +20V，-7V  

FET 功能： -  

功率耗散（最大值）： 267W（Tc）  

工作溫度： -55°C ~ 175°C（TJ）  

安裝類型： 通孔  

供應(yīng)商器件封裝： PG-TO247-4-U04  

封裝/外殼： TO-247-4  

基本產(chǎn)品編號： IMYH200

潛在應(yīng)用

? 組串式逆變器

? 太陽能優(yōu)化器

? 電動汽車充電

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