GD820HTX75P6HBT - 750V/820A 六單元 IGBT模塊,P6封裝
STARPOWER IGBT 功率模塊具有超低傳導(dǎo)損耗和短路耐用性。它們專為混合動力和電動汽車等應(yīng)用而設(shè)計。
型號:GD820HTX75P6HBT(IGBT 模塊)
封裝:P6
額定電壓:750V
額定電流:820A
芯片類型:Trench-FS Gen1
電路結(jié)構(gòu):Sixpack/六單元
特征:PINFIN基板
導(dǎo)通壓降VCE(sat) Tvj=25℃ typ:1.25V
GD820HTX75P6HBT - 產(chǎn)品特征:
低 VCE(sat) 溝槽式 IGBT 技術(shù)
開關(guān)損耗低
6μs 短路能力
正溫度系數(shù) VCE(sat)
最高結(jié)溫 175℃
低電感外殼
快速和軟反向恢復(fù)反并聯(lián) FWD
采用 DBC 技術(shù)的隔離式銅PINFIN基板
GD820HTX75P6HBT - 等效電路示意圖:
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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斯達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司成立于2005年4月,專業(yè)從事以IGBT為主的功率半導(dǎo)體芯片和模塊的設(shè)計研發(fā)、生產(chǎn)及銷售服務(wù),是目前國內(nèi)功率半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)。公司總部位于浙江嘉興,在上海、重慶、浙江和歐洲均設(shè)有子公司,并在國內(nèi)和歐洲德國和瑞士設(shè)有研發(fā)中心。2020年…
ID10FFX60U5SS
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DG40H12T2 是 IGBT 功率分立器件,具有超低的傳導(dǎo)損耗和開關(guān)損耗。它們專為通用逆變器和 UPS 等應(yīng)用而設(shè)計。DG40H12T2 的特點低 VCE(飽和)溝槽式 IGBT 技術(shù)開關(guān)損耗低最高結(jié)溫 175℃正溫度系數(shù) VCE(sat)快速和軟反向恢復(fù)反并聯(lián) FWDDG40H12T2 的典型應(yīng)用太陽能電子焊機(jī)不…ID50FFX60U3S
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