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LMG2100R044RARR 器件是一款 90V 連續(xù)、100V 脈沖、35A 半橋功率級，集成了柵極驅動器和增強型氮化鎵（GaN）場效應晶體管。該器件由兩個 100V 氮化鎵場效應晶體管組成，由一個高頻 90V 氮化鎵場效應晶體管驅動器以半橋配置驅動。

特點

集成式 4.4mΩ 半橋 GaN FET 和驅動器

90V 連續(xù)、100V 脈沖額定電壓

封裝經(jīng)過優(yōu)化，便于 PCB 布局

高轉換率開關，低振鈴

5V 外部偏置電源

支持 3.3V 和 5V 輸入邏輯電平

柵極驅動器開關頻率高達 10MHz

出色的傳播延遲（典型值為 33ns）和匹配（典型值為 2ns）

內部自舉電源電壓箝位，防止 GaN FET 過驅動

電源軌欠壓鎖定保護

低功耗

頂部裸露的 QFN 封裝，用于頂部冷卻

大 GND 焊盤，用于底部冷卻

應用

降壓、升壓、降壓-升壓轉換器

LLC 轉換器

太陽能逆變器

電信和服務器電源

電機驅動

電動工具

D 類音頻放大器

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