商品名稱:射頻微控制器 - MCU
品牌:ST
年份:24+
封裝:UFQFPN-32
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:2000 件
STM32WBA52KEU6無線多協(xié)議超低功耗器件內(nèi)嵌強(qiáng)大的超低功耗無線電,符合藍(lán)牙?低功耗SIG規(guī)范5.3。這款器件搭載32位Arm Cortex-M33高性能RISC內(nèi)核。工作頻率最高可達(dá)100 MHz。
這款器件集成了一個支持藍(lán)牙?低功耗的2.4 GHz無線電,并支持使用專有協(xié)議。
Cortex-M33內(nèi)核帶有單精度浮點(diǎn)運(yùn)算單元 (FPU),支持所有ARM單精度數(shù)據(jù)處理指令和所有數(shù)據(jù)類型。
Cortex-M33內(nèi)核還具備一套完整的DSP指令集和增強(qiáng)應(yīng)用安全的存儲器保護(hù)單元 (MPU)。
這款器件內(nèi)置高速存儲器(最高1 MB Flash存儲器和最高128 KB SRAM)和豐富的增強(qiáng)I/O和外設(shè),這些增強(qiáng)I/O和外設(shè)連接至32位多AHB總線矩陣上的AHB和APB總線。
規(guī)格參數(shù)
類型: TxRx + MCU
射頻系列/標(biāo)準(zhǔn): 藍(lán)牙
協(xié)議: 藍(lán)牙 v5.3
調(diào)制: GFSK
頻率: 2.4GHz
數(shù)據(jù)速率(最大值):2Mbps
功率 - 輸出: 10dBm
靈敏度: -101dBm
存儲容量: 512kB 閃存,64kB SRAM
串行接口: ADC,GPIO,I2C,IrDA,SPI,UART,USART
GPIO: 20
電壓 - 供電: 1.71V ~ 3.6V
電流 - 接收: 7.39mA ~ 8mA
電流 - 傳輸: 10.6mA ~ 20.4mA
工作溫度: -40°C ~ 85°C(TA)
安裝類型: 表面貼裝型
封裝/外殼: 32-UFQFN 裸露焊盤
供應(yīng)商器件封裝: 32-UFQFPN(5x5)
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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意法半導(dǎo)體(ST)集團(tuán)于1987年成立,是由意大利的SGS微電子公司和法國Thomson半導(dǎo)體公司合并而成。1998年5月,SGS-THOMSON Microelectronics將公司名稱改為意法半導(dǎo)體有限公司。意法半導(dǎo)體是世界最大的半導(dǎo)體公司之一。公司2019年全年凈營收95.6億美元; 毛利率38.7%;營業(yè)…
STGHU30M65DF2AG
STGHU30M65DF2AG是一款650 V、30 A車規(guī)級溝槽柵場截止低損耗M系列IGBT,其采用先進(jìn)的專有溝槽柵場截止結(jié)構(gòu)開發(fā)。該器件是M系列IGBT的一部分,代表了逆變器系統(tǒng)性能與效率之間的理想平衡,其中低損耗和短路功能至關(guān)重要。此外,它的VCE(sat)正溫度系數(shù)特性和緊密的參數(shù)分布…STGWA60V60DF
STGWA60V60DF是一種使用先進(jìn)專有溝槽柵場截止結(jié)構(gòu)的IGBT器件,屬于V系列IGBT的一部分?。該器件旨在實(shí)現(xiàn)傳導(dǎo)損耗和開關(guān)損耗之間的最佳折衷,以提高非常高頻轉(zhuǎn)換器的效率。其最大結(jié)溫為175C,具有無尾關(guān)斷特性,飽和壓降VCE(sat)在60A時為1.85V(典型值),并且參數(shù)分布緊…STGWA60H65DFB
STGWA60H65DFB是一種650 V、60 A的高速溝槽柵場截止IGBT器件,其采用先進(jìn)的專有溝柵場運(yùn)算結(jié)構(gòu)開發(fā),旨在實(shí)現(xiàn)傳導(dǎo)和開關(guān)損耗之間的最佳折衷,以提高任何變頻器的效率。其技術(shù)規(guī)格和典型應(yīng)用如下:技術(shù)規(guī)格IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):650 V電流…STGWA40M120DF3
STGWA40M120DF3是一款1200 V、40 A溝槽柵場截止低損耗M系列IGBT,具有低損耗和短路功能,特別適用于需要高性能和高效率的逆變系統(tǒng)。其正的溫度系數(shù)VCE(sat)和嚴(yán)格的參數(shù)分布確保了并行操作的安全性?。STGWA40M120DF3具有以下技術(shù)規(guī)格:IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集…STGW8M120DF3
STGW8M120DF3器件是一款1200 V、8 A溝槽柵場截止低損耗M系列IGBT,因其低損耗和短路功能,STGW8M120DF3 IGBT特別適合需要高性能和高效率的逆變器系統(tǒng)?。其技術(shù)規(guī)格和應(yīng)用場景如下:技術(shù)規(guī)格IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V電流 - 集電極 (I…STGW40H65DFB
STGW40H65DFB是一款650 V、40 A的高速溝槽柵場截止HB系列IGBT。該產(chǎn)品采用先進(jìn)的專有溝槽柵場截止結(jié)構(gòu),旨在優(yōu)化導(dǎo)通和開關(guān)損耗的平衡,從而提高任何頻率轉(zhuǎn)換器的效率?。其技術(shù)規(guī)格和典型應(yīng)用如下:技術(shù)規(guī)格IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):650 V電…電話咨詢:86-755-83294757
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