商品名稱:IS34ML01G084-BLI
品牌:ISSI
年份:24+
封裝:VFBGA-63
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
IS34ML01G084-BLI - 1Gbit 3.3V NAND FLASH 存儲器,帶 4b ECC
產(chǎn)品描述
IS34ML01G084-BLI 是一款 128Mx8bit 容量、帶備用 4Mx8bit 容量的器件。該器件采用 3.3V Vcc 電源供電。其 NAND 單元為固態(tài)大容量存儲市場提供了最具成本效益的解決方案。該存儲器分為可獨(dú)立擦除的區(qū)塊,因此可以在擦除舊數(shù)據(jù)的同時(shí)保留有效數(shù)據(jù)。該設(shè)備包含 1,024 個(gè)塊,由 64 個(gè)頁面組成,由 32 個(gè)串聯(lián)閃存單元的兩個(gè) NAND 結(jié)構(gòu)構(gòu)成。寫入 2,112 字節(jié)頁面的編程操作一般只需 400 毫秒,對 128K 字節(jié)的 X8 器件塊進(jìn)行擦除操作一般只需 3 毫秒。
產(chǎn)品特點(diǎn)
靈活高效的存儲器架構(gòu)
- 組織結(jié)構(gòu) 128Mb x8
- 存儲單元陣列:(128M + 4M) x 8 位
- 數(shù)據(jù)寄存器:(2K + 64)x 8 位
- 頁大?。海?K + 64)字節(jié)
- 塊擦除: (128K + 4K) 字節(jié)
- 存儲單元:1 位/存儲單元
最高性能
- 讀取性能
- 隨機(jī)讀取:25us(最大值)
- 串行訪問 25ns(最大值)
- 寫入性能
- 編程時(shí)間 300us - 典型值
- 塊擦除時(shí)間 3ms - 典型值
低功耗,寬溫度范圍 寬溫度范圍
- 單路 3.3V(2.7V 至 3.6V)電壓電源
- 15 mA 有效讀取電流
- 10 μA 待機(jī)電流
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
ISSI
TSOP-48
2000
NAND閃存 SLC NAND,4Gb (x8, 8bit ECC) 3V,48-pin TSOP (Type I) 12x20mm
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ISSI 是Integrated Silicon Solution, Inc.縮寫。1988年成立,專門設(shè)計(jì)、開發(fā)、銷售高性能存儲半導(dǎo)體產(chǎn)品,用于Internet存儲器件、網(wǎng)絡(luò)設(shè)備、遠(yuǎn)程通訊和移動通訊設(shè)備、計(jì)算機(jī)外設(shè)等。公司的客戶都是一些電子工業(yè)巨頭,如3Com, Alcatel, Cisco, Ericsson, Hewlett Packard…
IS34ML04G168-BLI
IS34ML04G168-BLI - NAND閃存 4Gb (x16, 8bit ECC), 63 Ball VFBGA, 3V, RoHS, IT說明:ISSI IS34ML SLC NAND閃存IC每個(gè)存儲單元存儲1位數(shù)據(jù),并提供快速讀寫能力。這些閃存IC提供1Gb、2Gb和4Gb三種內(nèi)存大小。IS34ML閃存ic具有靈活的x8或x16選項(xiàng)、硬件數(shù)據(jù)保護(hù)、自動讀取…IS34ML04G088-BLI
IS34ML04G088-BLI - NAND閃存 SLC NAND,4Gb (x8, 8bit ECC) 3V,63-ball VFBGA 9x11x1.0mm 說明:ISSI IS34ML SLC NAND閃存IC每個(gè)存儲單元存儲1位數(shù)據(jù),并提供快速讀寫能力。這些閃存IC提供1Gb、2Gb和4Gb三種內(nèi)存大小。IS34ML閃存ic具有靈活的x8或x16選項(xiàng)、硬件數(shù)據(jù)保護(hù)、…IS34ML04G088-TLI
IS34ML04G088-TLI - NAND閃存 SLC NAND,4Gb (x8, 8bit ECC) 3V,48-pin TSOP (Type I) 12x20mm說明:ISSI IS34ML SLC NAND閃存IC每個(gè)存儲單元存儲1位數(shù)據(jù),并提供快速讀寫能力。這些閃存IC提供1Gb、2Gb和4Gb三種內(nèi)存大小。IS34ML閃存ic具有靈活的x8或x16選項(xiàng)、硬件數(shù)據(jù)保護(hù)…IS34ML04G084-TLI
IS34ML04G084-TLI - 4Gbit 3.3V NAND FLASH 存儲器,帶 4b ECC產(chǎn)品描述IS34ML04G084-TLI 是一款容量為 512Mx8bit 的器件,具有 16Mx8bit 的備用容量。該器件采用 3.3V Vcc 電源供電。其 NAND 單元為固態(tài)大容量存儲市場提供了最具成本效益的解決方案。該存儲器分為多個(gè)可獨(dú)…IS22TF16G-JCLA1-TR
IS22TF16G-JCLA1-TR 器件符合JEDEC嵌入式多媒體卡 (eMMC) 5.1標(biāo)準(zhǔn),提供適用于工業(yè)和汽車應(yīng)用的153球BGA封裝。eMMC在一個(gè)JEDEC標(biāo)準(zhǔn)封裝內(nèi)集成了NAND閃存和智能eMMC控制器,為主機(jī)提供標(biāo)準(zhǔn)接口??刂破髦苯庸芾鞱AND閃存,實(shí)現(xiàn)壞塊管理、錯誤處理 (ECC)、靜態(tài)和動態(tài)耗損均衡…IS22TF16G-JCLA2-TR
IS22TF16G-JCLA2-TR器件符合JEDEC嵌入式多媒體卡 (eMMC) 5.1標(biāo)準(zhǔn),提供適用于工業(yè)和汽車應(yīng)用的153球BGA封裝。產(chǎn)品屬性存儲器類型: 非易失 存儲器格式: 閃存 技術(shù): FLASH - NAND(TLC) 存儲容量: 128Gb 存儲器組織: 16G x 8 存儲器接口: eMMC_5.1 時(shí)鐘頻率:…電話咨詢:86-755-83294757
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