商品名稱:MT53E1G32D2FW-046 AUT:B
數(shù)據(jù)手冊:MT53E1G32D2FW-046 AUT:B.pdf
品牌:Micron
年份:23+
封裝:TFBGA
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:2000 件
Micron MT53E1G32D2FW-046 AUT:B LPDDR4內(nèi)存優(yōu)化用于解決電池供電應(yīng)用中的功耗問題。與DDR4相比,這些內(nèi)存器件的峰值帶寬快33%。與標準DRAM相比,LPDDR4內(nèi)存在待機模式下的功耗降低至1/5。
規(guī)格
存儲器類型: 揮發(fā)性
存儲器格式: DRAM
技術(shù): SDRAM - 移動 LPDDR4X
存儲器大小: 32Gbit
存儲器組織: 1G x 32
存儲器接口: 平行
時鐘頻率: 2.133 GHz
寫入周期時間 - 字,頁: 18ns
訪問時間: 3.5 ns
電壓 - 電源:1.06V ~ 1.17V
工作溫度: -40°C ~ 95°C (TC)
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 200-TFBGA
供應(yīng)商器件封裝:200-TFBGA (10x14.5)
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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Micron是全球著名的半導(dǎo)體存儲器方案供應(yīng)商。該公司的存儲器方案被應(yīng)用于計算機及外設(shè)、消費電子、CAD/CAM、通信、辦公室自動化、網(wǎng)絡(luò)和數(shù)據(jù)處理、圖形顯示等。公司1978年組建,總部位于美國愛德荷州,有員工約16,000人,擁有全球化的生產(chǎn)、銷售網(wǎng)點。目前主要生產(chǎn)DRAM、…
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