商品名稱:NCV7343MW0R2G
數(shù)據(jù)手冊:NCV7343MW0R2G.PDF
品牌:ON
年份:23+
封裝:14-VDFN
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:2000 件
NCV7343MW0R2G - CAN FD 收發(fā)器,低功耗,帶 INH、WAKE 和錯(cuò)誤檢測功能
產(chǎn)品描述
NCV7343MW0R2G CAN FD 收發(fā)器是控制器區(qū)域網(wǎng)絡(luò) (CAN) 協(xié)議控制器與物理總線之間的接口。收發(fā)器為總線提供差分發(fā)送能力,為 CAN 控制器提供差分接收能力。
產(chǎn)品特性
CAN FD 時(shí)序規(guī)格高達(dá) 5 Mbit/s
擴(kuò)展的總線負(fù)載范圍
待機(jī)和睡眠模式,電流消耗極低
CAN 喚醒,具有喚醒模式 (WUP)、短 CAN 活動過濾時(shí)間、長喚醒超時(shí)和正常總線偏置。
本地喚醒
VIO 引腳允許與 3 V 至 5 V MCU 直接接口
低電磁輻射(EME)和高電磁感應(yīng)強(qiáng)度(EMS)
無電源狀態(tài)下的高阻抗總線線路
傳輸數(shù)據(jù) (TxD) 主導(dǎo)超時(shí)功能(長)
總線錯(cuò)誤檢測
在所有電源條件下,芯片均表現(xiàn)出可預(yù)測性
總線引腳的 ESD 強(qiáng)度 > 8 kV
熱保護(hù)
總線引腳對電源電壓和接地的短路保護(hù)
總線引腳在汽車環(huán)境中的瞬態(tài)保護(hù)
典型應(yīng)用
汽車
工業(yè)網(wǎng)絡(luò)
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國納斯達(dá)克上市代號:ON)是應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號管理、邏輯、分立及定制器件,幫助客戶解決他們在汽車、通信、計(jì)算機(jī)、消費(fèi)電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應(yīng)用的獨(dú)…
UJ3C120040K3S
UJ3C120040K3S SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個(gè)常開 SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UJ3C120070K3S
UJ3C120070K3S SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個(gè)常開 SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UF3C120040K3S
UF3C120040K3S SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個(gè)常開 SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性可真正 “替代 ”硅 IGBT、硅 FET、硅 C MOSFET 或硅超級結(jié)器件。該器件采用 T0247-3 封裝,具有超…UF3C120040K4S
UF3C120040K4S 是高性能 F3 SiC 快速 JFET,采用級聯(lián)優(yōu)化 MOSFET,是目前市場上唯一的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動 SiC 器件。該器件采用 4 端子 T0247- 封裝,具有極快的開關(guān)速度和類似額定值器件中最佳的反向恢復(fù)特性。這些器件非常適合電感負(fù)載開關(guān)和任何需要標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動的應(yīng)用。UF3…UJ3C065030B3
UJ3C065030B3 SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個(gè)常開 SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 DPAK-3L…NVH4L050N170M1
NVH4L050N170M1:1700V、45A、53mohm、碳化硅 (SiC) N通道 MOSFET 晶體管,TO-247-4型號:NVH4L050N170M1封裝:TO-247-4類型:碳化硅(SiC)MOSFET 晶體管NVH4L050N170M1 規(guī)格參數(shù):FET 類型:N 通道技術(shù):SiC(碳化硅結(jié)晶體管)漏源電壓(Vdss):1700 V25C 時(shí)電流 - 連…電話咨詢:86-755-83294757
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