商品名稱:NCV77320DB0R2G
數(shù)據(jù)手冊:NCV77320DB0R2G.pdf
品牌:ON
年份:23+
封裝:16-TSSOP
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
NCV77320是一款電感式位置傳感器接口,與PCB相結合,形成一個精確測量角度或線性位置的系統(tǒng)。電感式傳感器的工作原理基于互感。芯片包含一個激勵源,它通過PCB上的初級線圈產(chǎn)生交流磁場。磁場與轉子相互耦合。NCV77320包含3個接口:一個單端模擬輸出、一個帶快速和慢速通道的SENT接口以及一個用于與微控制器直接互連的SPI通道。
器件:NCV77320DB0R2G
類型:傳感器接口
輸入類型:數(shù)字
輸出類型:SPI
電流 - 供電:12.5 mA
工作溫度:-40°C ~ 150°C(TA)
安裝類型:表面貼裝型
封裝/外殼:16-TSSOP(0.173",4.40mm 寬)
供應商器件封裝:16-TSSOP
典型應用
?高達360°的角度位置傳感器,例如踏板位置、節(jié)氣門位置、底盤高度、執(zhí)行器位置反饋等。
?線性位置傳感器,如杠桿位置、線性執(zhí)行器、水平傳感器等。
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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UJ3C120040K3S
UJ3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UJ3C120070K3S
UJ3C120070K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UF3C120040K3S
UF3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性可真正 “替代 ”硅 IGBT、硅 FET、硅 C MOSFET 或硅超級結器件。該器件采用 T0247-3 封裝,具有超…UF3C120040K4S
UF3C120040K4S 是高性能 F3 SiC 快速 JFET,采用級聯(lián)優(yōu)化 MOSFET,是目前市場上唯一的標準柵極驅動 SiC 器件。該器件采用 4 端子 T0247- 封裝,具有極快的開關速度和類似額定值器件中最佳的反向恢復特性。這些器件非常適合電感負載開關和任何需要標準柵極驅動的應用。UF3…UJ3C065030B3
UJ3C065030B3 SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超結器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 DPAK-3L…NVH4L050N170M1
NVH4L050N170M1:1700V、45A、53mohm、碳化硅 (SiC) N通道 MOSFET 晶體管,TO-247-4型號:NVH4L050N170M1封裝:TO-247-4類型:碳化硅(SiC)MOSFET 晶體管NVH4L050N170M1 規(guī)格參數(shù):FET 類型:N 通道技術:SiC(碳化硅結晶體管)漏源電壓(Vdss):1700 V25C 時電流 - 連…電話咨詢:86-755-83294757
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