商品名稱:NCV7544MWTXG
數(shù)據(jù)手冊:NCV7544MWTXG.PDF
品牌:ON
年份:23+
封裝:QFN-32
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:20140 件
NCV7544MWTXG 可編程四通道半橋 MOSFET 前置驅(qū)動(dòng)器是 FLEXMOS 汽車級產(chǎn)品系列之一,用于驅(qū)動(dòng)邏輯級 NMOSFET。該產(chǎn)品可通過串行 SPI 和 CMOS 兼容并行輸入進(jìn)行控制。預(yù)驅(qū)動(dòng)器為 MOSFET 提供先進(jìn)的控制和保護(hù)。器件和應(yīng)用診斷數(shù)據(jù)通過 SPI 進(jìn)行通信。
功能特點(diǎn)
? 支持功能安全合規(guī)性
? 4 個(gè)半橋前置驅(qū)動(dòng)器,用于外部邏輯級 NMOS FET
? 集成充電泵,用于
? 高壓側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)
? 開關(guān)反向電池保護(hù)
? 5 V CMOS 兼容 I/O:
? 用于控制和診斷的 16 位 SPI 接口
? 復(fù)位和故障安全輸入
? 2 個(gè) PWM 控制輸入
? 可編程:
? 壓擺率控制
? 過載保護(hù)閾值
? 低靜態(tài)電流
? 可潤濕側(cè)邊 無鉛封裝
? 用于汽車和其他應(yīng)用的 NCV 前綴要求 獨(dú)特的現(xiàn)場和控制變更要求;AEC-Q100 認(rèn)證和 PPAP 能力
應(yīng)用
? 座椅電機(jī)致動(dòng)器
? 門鎖致動(dòng)器
? 行李箱提升致動(dòng)器
? 天窗致動(dòng)器
? 車窗升降執(zhí)行器
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
Melexis
QFN32
2000
適用于直流電機(jī)和直流無刷電機(jī) (<2000W) 的智能 LIN 預(yù)驅(qū)動(dòng)器
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安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國納斯達(dá)克上市代號:ON)是應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號管理、邏輯、分立及定制器件,幫助客戶解決他們在汽車、通信、計(jì)算機(jī)、消費(fèi)電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應(yīng)用的獨(dú)…
UJ3C120040K3S
UJ3C120040K3S SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個(gè)常開 SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UJ3C120070K3S
UJ3C120070K3S SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個(gè)常開 SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UF3C120040K3S
UF3C120040K3S SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個(gè)常開 SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性可真正 “替代 ”硅 IGBT、硅 FET、硅 C MOSFET 或硅超級結(jié)器件。該器件采用 T0247-3 封裝,具有超…UF3C120040K4S
UF3C120040K4S 是高性能 F3 SiC 快速 JFET,采用級聯(lián)優(yōu)化 MOSFET,是目前市場上唯一的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng) SiC 器件。該器件采用 4 端子 T0247- 封裝,具有極快的開關(guān)速度和類似額定值器件中最佳的反向恢復(fù)特性。這些器件非常適合電感負(fù)載開關(guān)和任何需要標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)的應(yīng)用。UF3…UJ3C065030B3
UJ3C065030B3 SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個(gè)常開 SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 DPAK-3L…NVH4L050N170M1
NVH4L050N170M1:1700V、45A、53mohm、碳化硅 (SiC) N通道 MOSFET 晶體管,TO-247-4型號:NVH4L050N170M1封裝:TO-247-4類型:碳化硅(SiC)MOSFET 晶體管NVH4L050N170M1 規(guī)格參數(shù):FET 類型:N 通道技術(shù):SiC(碳化硅結(jié)晶體管)漏源電壓(Vdss):1700 V25C 時(shí)電流 - 連…電話咨詢:86-755-83294757
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