商品名稱:NTH4L060N090SC1
數(shù)據(jù)手冊:NTH4L060N090SC1.PDF
品牌:ON
年份:23+
封裝:TO-247-4L
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
NTH4L060N090SC1采用的技術(shù)與硅器件相比,可提供出色的開關(guān)性能和更高的可靠性。而且,低導(dǎo)通電阻和緊湊的芯片尺寸可確保低電容和低柵極電荷。因此,系統(tǒng)優(yōu)勢包括高效率、更快工作頻率、更高功率密度、更低EMI以及更小的系統(tǒng)尺寸。
產(chǎn)品屬性
FET 類型:N 通道
技術(shù):SiCFET(碳化硅)
漏源電壓(Vdss):900 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):46A(Tc)
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):15V,18V
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值):43 毫歐 @ 20A,18V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):4.3V @ 5mA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值):87 nC @ 15 V
Vgs(最大值):+22V,-8V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):1770 pF @ 450 V
功率耗散(最大值):221W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型:通孔
供應(yīng)商器件封裝:TO-247-4L
應(yīng)用
● 不間斷電源
● 直流-直流轉(zhuǎn)換器
● 升壓型逆變器
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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NCV33202VDR2G
NCV33202VDR2G 運算放大器的輸入和輸出均可實現(xiàn)軌至軌操作。輸入可驅(qū)動至超出電源軌 200mV 的高電平,而輸出不會發(fā)生相位反轉(zhuǎn),輸出可在每個軌 50 mV 范圍內(nèi)擺動。這種軌至軌的工作方式使用戶能夠充分利用可用的電源電壓范圍。它的設(shè)計工作電壓非常低(+/- 0.9 V),但可…NB6N11SMNG
NB6N11SMNG是差分 1:2 時鐘或數(shù)據(jù)接收器,可接受 AnyLevelTM 輸入信號: LVPECL、CML、LVCMOS、LVTTL 或 LVDS。AFGH4L25T120RWD
AFGH4L25T120RWD是一款通過AEC Q101 認證的絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT) ,具有堅固且具有成本效益的場停止 VII 溝槽結(jié)構(gòu)。AFGH4L25T120RWD IGBT在苛刻的開關(guān)應(yīng)用中提供卓越的性能,具有低導(dǎo)通狀態(tài)電壓和最小的開關(guān)損耗,優(yōu)化了在汽車應(yīng)用中硬開關(guān)和軟開關(guān)拓撲的性能。技術(shù)…AFGH4L25T120RW
AFGH4L25T120RW是一款單N溝道1200V 25A絕緣柵極雙極晶體管 (IGBT),它采用堅固、高性價比的場終止型VII溝槽結(jié)構(gòu)。AFGH4L25T120RW在要求苛刻的開關(guān)應(yīng)用中提供出色的性能。低導(dǎo)通電壓和最小開關(guān)損耗在汽車應(yīng)用中提供最佳的硬開關(guān)和軟開關(guān)拓撲性能。技術(shù)參數(shù)AFGH4L25T120RW的…FGAF40N60SMD
FGAF40N60SMD是一款600 V 絕緣柵雙極晶體管(IGBT) ,主要應(yīng)用于電力電子設(shè)備中。該IGBT具有以下主要規(guī)格:配置:Single集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V集電極—射極飽和電壓:1.9 V柵極/發(fā)射極最大電壓:- 20 V, 20 V在25 C的連續(xù)集電極電流:80 APd-功率耗散:115 W…FGY4L75T120SWD
FGY4L75T120SWD是一款采用新穎的場終止型第7代IGBT技術(shù)和采用TO-247 4?lead封裝的第7代二極管。該IGBT具有最佳的性能,具有低開關(guān)和導(dǎo)通損耗,可在太陽能逆變器、UPS和ESS等各種應(yīng)用中實現(xiàn)高效率運行。技術(shù)規(guī)格FGY4L75T120SWD的主要規(guī)格包括:配置:Single集電極—發(fā)射極…電話咨詢:86-755-83294757
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