商品名稱:MT53E256M32D2DS-046?AUT:B
數(shù)據(jù)手冊:MT53E256M32D2DS-046?AUT:B.pdf
品牌:Micron
年份:23+
封裝:200-WFBGA
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
MT53E256M32D2DS-046 AUT:B LPDDR4內(nèi)存優(yōu)化用于解決電池供電應(yīng)用中的功耗問題。與DDR4相比,峰值帶寬快33%。與標準DRAM相比,內(nèi)存在待機模式下的功耗降低至1/5。LPDDR4內(nèi)存在性能、功耗、延遲和物理空間之間實現(xiàn)了完美平衡,因此非常節(jié)能。典型應(yīng)用包括汽車、工業(yè)和消費電子產(chǎn)品。
規(guī)格
存儲器類型:易失
存儲器格式:DRAM
技術(shù):SDRAM - Mobile LPDDR4
存儲容量:8Gb
存儲器組織:256M x 32
存儲器接口:-
時鐘頻率:2.133 GHz
寫周期時間 - 字,頁:-
電壓 - 供電:1.1V
工作溫度:-40°C ~ 125°C(TC)
安裝類型:表面貼裝型
封裝/外殼:200-WFBGA
供應(yīng)商器件封裝:200-WFBGA(10x14.5)
基本產(chǎn)品編號:MT53E256
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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