商品名稱:FFSH40120A-F155
數(shù)據(jù)手冊:FFSH40120A-F155.pdf
品牌:ON
年份:23+
封裝:TO-247-2
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
FFSH40120A-F155碳化硅(SiC)二極管提供比硅更卓越的開關(guān)性能和更高的可靠性。onsemi FFSH10120A-F155具有低導(dǎo)通電阻,采用緊湊的芯片尺寸,可確保低電容和低柵極電荷。系統(tǒng)優(yōu)勢包括效率高、工作頻率快、功率密度高、EMI低和系統(tǒng)尺寸小。
產(chǎn)品屬性
技術(shù):SiC(Silicon Carbide)Schottky
電壓 - DC 反向 (Vr)(最大值):1200 V
電流 - 平均整流 (Io):61A
不同 If 時電壓 - 正向 (Vf):1.75 V @ 40 A
速度:無恢復(fù)時間 > 500mA(Io)
反向恢復(fù)時間 (trr):0 ns
不同 Vr 時電流 - 反向泄漏:200 μA @ 1200 V
不同 Vr、F 時電容:2250pF @ 1V,100kHz
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-247-2
供應(yīng)商器件封裝:TO-247-2
工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 175°C
應(yīng)用
● 功率因數(shù)校正(PFC)
● 工業(yè)電源
● 太陽能
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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NCV33202VDR2G
NCV33202VDR2G 運算放大器的輸入和輸出均可實現(xiàn)軌至軌操作。輸入可驅(qū)動至超出電源軌 200mV 的高電平,而輸出不會發(fā)生相位反轉(zhuǎn),輸出可在每個軌 50 mV 范圍內(nèi)擺動。這種軌至軌的工作方式使用戶能夠充分利用可用的電源電壓范圍。它的設(shè)計工作電壓非常低(+/- 0.9 V),但可…NB6N11SMNG
NB6N11SMNG是差分 1:2 時鐘或數(shù)據(jù)接收器,可接受 AnyLevelTM 輸入信號: LVPECL、CML、LVCMOS、LVTTL 或 LVDS。AFGH4L25T120RWD
AFGH4L25T120RWD是一款通過AEC Q101 認證的絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT) ,具有堅固且具有成本效益的場停止 VII 溝槽結(jié)構(gòu)。AFGH4L25T120RWD IGBT在苛刻的開關(guān)應(yīng)用中提供卓越的性能,具有低導(dǎo)通狀態(tài)電壓和最小的開關(guān)損耗,優(yōu)化了在汽車應(yīng)用中硬開關(guān)和軟開關(guān)拓撲的性能。技術(shù)…AFGH4L25T120RW
AFGH4L25T120RW是一款單N溝道1200V 25A絕緣柵極雙極晶體管 (IGBT),它采用堅固、高性價比的場終止型VII溝槽結(jié)構(gòu)。AFGH4L25T120RW在要求苛刻的開關(guān)應(yīng)用中提供出色的性能。低導(dǎo)通電壓和最小開關(guān)損耗在汽車應(yīng)用中提供最佳的硬開關(guān)和軟開關(guān)拓撲性能。技術(shù)參數(shù)AFGH4L25T120RW的…FGAF40N60SMD
FGAF40N60SMD是一款600 V 絕緣柵雙極晶體管(IGBT) ,主要應(yīng)用于電力電子設(shè)備中。該IGBT具有以下主要規(guī)格:配置:Single集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V集電極—射極飽和電壓:1.9 V柵極/發(fā)射極最大電壓:- 20 V, 20 V在25 C的連續(xù)集電極電流:80 APd-功率耗散:115 W…FGY4L75T120SWD
FGY4L75T120SWD是一款采用新穎的場終止型第7代IGBT技術(shù)和采用TO-247 4?lead封裝的第7代二極管。該IGBT具有最佳的性能,具有低開關(guān)和導(dǎo)通損耗,可在太陽能逆變器、UPS和ESS等各種應(yīng)用中實現(xiàn)高效率運行。技術(shù)規(guī)格FGY4L75T120SWD的主要規(guī)格包括:配置:Single集電極—發(fā)射極…電話咨詢:86-755-83294757
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