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產(chǎn)品說明:650V,26mΩ,碳化硅 CoolSiC? MOSFET 晶體管,TO-247-4
封裝:TO-247-4產(chǎn)品說明:650V、10mΩ、碳化硅 CoolSiC? MOSFET 晶體管,TO-247-4
封裝:TO-247-4產(chǎn)品說明:650V、60mΩ、碳化硅 CoolSiC? MOSFET 晶體管,TO-247-3
封裝:TO-247-3產(chǎn)品說明:CoolSiC? MOSFET 分立式 1200 V G2,采用 TO-247 4 引腳高爬電封裝
封裝:TO-247-4產(chǎn)品說明:650V、33mΩ、碳化硅 CoolSiC? MOSFET 晶體管,TO-247-3
封裝:TO-247-3產(chǎn)品說明:CoolSiC? MOSFET 分立式 1200 V G2,采用 TO-247 4 引腳高爬電封裝
封裝:TO-247-4產(chǎn)品說明:650V、26mΩ、碳化硅 CoolSiC? MOSFET 晶體管,TO-247-3
封裝:TO-247-3產(chǎn)品說明:650V、10mΩ、碳化硅 CoolSiC? MOSFET 晶體管,TO-247-3
封裝:TO-247-3產(chǎn)品說明:670 V、70 A TRENCHSTOP? IGBT7 PR7,帶反并聯(lián)二極管,采用 TO-247-3 針高爬電和間隙封裝
封裝:TO-247-3產(chǎn)品說明:670 V、60 A TRENCHSTOP? IGBT7 PR7,帶反并聯(lián)二極管,采用 TO-247-3 針高爬電和間隙封裝
封裝:TO-247-3產(chǎn)品說明:650V,CoolGaN? G5 系列 - GaN 功率晶體管,PG-TSON-8
封裝:PG-TSON-8產(chǎn)品說明:670 V、50 A TRENCHSTOP? IGBT7 PR7,帶反并聯(lián)二極管,采用 TO-247-3 針高爬電和間隙封裝
封裝:TO-247-3產(chǎn)品說明:3.3kV,4.0 mΩ,XHP? 2 CoolSiC? MOSFET 半橋模塊
封裝:模塊產(chǎn)品說明:670 V、40 A TRENCHSTOP? IGBT7 PR7,帶反并聯(lián)二極管,采用 TO-247-3 針高爬電和間隙封裝
封裝:TO-247-3產(chǎn)品說明:150V,OptiMOS? 5 低壓功率 MOSFET 晶體管,PG-WHSON-8
封裝:PG-WHSON-8產(chǎn)品說明:150V,OptiMOS? 5 低壓功率 MOSFET 晶體管,PG-WHTFN-9
封裝:PG-WHTFN-9電話咨詢:86-755-83294757
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